东芝推出采用TOLL封装的650V第三代SiC MOSFET
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瞻芯电子与浙大联合发表10kV SiC MOSFET研发成果！
6月4日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商——瞻芯电子，在第37届国际功率半导体器件和集成电路研讨会（ISPSD 2025）上，与浙江大学以大会全体报告的形式联合发表了10kV等级SiC MOSFET的最新研究成果，受到了各界广泛关注。